Транзистор N-MOSFET SiC Nexperia NSF080120L3A0Q, 1200 В, 25 А, TO247-3
Код: TM155584
В наличии
2 170 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 362 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 183 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 22 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | NEXPERIA |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET от бренда Nexperia, модель NSF080120L3A0Q, изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Имеет максимальное напряжение «сток-исток» 1,2 кВ и постоянный ток «стока» 25 А.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Напряжение «сток-исток»: 1200 В
- Ток «стока»: 25 А
- Импульсный ток (Idm): 80 А
- Рассеиваемая мощность: 183 Вт
- Корпус TO247-3, монтаж THT
Транзистор рассчитан на напряжение «сток-исток» 1,2 кВ и постоянный ток «стока» 25 А.
Технология SiCТехнология SiC (карбид кремния) позволяет работать при высоких напряжениях.
Импульсный ток и мощностьМаксимальный импульсный ток «стока» (Idm) составляет 80 А, а рассеиваемая мощность — 183 Вт. Параметры Idm и мощности определяют допустимые пиковые нагрузки.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-3 с выводами для монтажа на плату (THT). Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что определяет его тип как N-MOSFET.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
