Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S, 650V, 10A, корпус F1.1
Код: TM153532
В наличии
3 010 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 502 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Основные
| Тип монтажа | Вставной |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Корпус | F1.1 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
IGBT модуль STARPOWER GD10PJX65F1S — полупроводниковый компонент. Объединяет IGBT транзистор и диод в корпусе F1.1.
- Максимальное обратное напряжение 650 В
- Номинальный ток коллектора 10 А
- Максимально допустимый ток коллектора 20 А
- Корпус F1.1
- Технология Trench FS IGBT
- Встроенный NTC термистор
Модуль использует технологию Trench FS IGBT.
Электрические параметрыТок коллектора (Ic): 10 А. Максимально допустимый ток коллектора: 20 А. Максимальное обратное напряжение: 650 В.
МонтажТип монтажа: вставной (plug-in).
Топология и составТопология: boost chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT мост с выходом OE. Присутствует NTC термистор.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
