Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)
Код: TM151368
В наличии
2 780 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 463 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 в корпусе TO247-4 со встроенным диодом SiC SBD. Комплект состоит из 3 единиц с выводным типом монтажа.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 200 А
- Мощность рассеивания: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, выводной монтаж
- Комплект: 3 шт.
- Интегрированный диод SiC SBD
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, а максимально допустимый ток коллектора — 200 А. Максимальная мощность рассеивания равна 357 Вт. Транзистор изготовлен по технологии Field Stop, Trench и имеет интегрированный антипараллельный диод SiC SBD.
Особенности конструкцииКорпус TO247-4, тип монтажа — выводной. Заряд затвора составляет 308 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
КомплектацияВ комплекте поставляется 3 транзистора.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
