Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM2, 600В, 15,5А, TO220-3 набор 5 шт.
Код: TM114341
В наличии
1 920 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 320 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 15.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 5 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ DM2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM2 — это полупроводниковый прибор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 15,5 А. Выполнен в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT) и реализует технологию MDmesh™ DM2.
- Тип: N-MOSFET с обогащенным каналом
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 15,5 А (импульсный до 96 А)
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технология: MDmesh™ DM2
- Комплект: 5 шт.
Прибор работает с напряжением сток-исток до 600 В и постоянным током стока 15,5 А. В импульсном режиме ток может достигать 96 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,13 Ом.
Мощность и управлениеМаксимальная рассеиваемая мощность транзистора — 190 Вт. Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а заряд затвора равен 43 нКл.
КомплектацияТовар поставляется набором из 5 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
