
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 560 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 37.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | MAX247 |
| Технология | MDmesh™ |
Транзистор STMicroelectronics STY60NM50 — это силовой N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Устройство выполнено в корпусе MAX247 с технологией MDmesh™ и имеет встроенную защиту от электростатического разряда (ESD).
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 37,8 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 50 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 560 Вт. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Монтаж и корпусКомпонент предназначен для установки в отверстия печатных плат (THT). Корпус MAX247. Наличие версии ESD. Используется технология MDmesh™.