Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW57N65M5-4, 650 В, 26,5 А (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW57N65M5-4 — это силовой полевой транзистор технологии MDmesh™ V в корпусе TO247-4. Комплект состоит из 5 единиц с выводом Кельвина и защитой ESD.

• Напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 26,5 А
• Мощность рассеивания: 250 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 56 мОм
• Корпус: TO247-4
• Количество в комплекте: 5 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 26,5 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 250 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 56 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 25 В.

Устройство имеет штыревой тип монтажа и выполнено в корпусе TO247-4. Технология MDmesh™ V. Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом. Наличие вывода Кельвина.

В набор поставляется 5 транзисторов. Версия устройства обозначена как ESD.