Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28NM50N, 500В, 13А, TO247 (3 шт.)
Код: TM078978
В наличии
1 950 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 325 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 135 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технология | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28NM50N — силовой полупроводниковый прибор в комплекте из 3 штук. Модель выполнена по технологии MDmesh™ II в корпусе TO247 для монтажа на плату (THT).
- Комплект из 3 транзисторов N-MOSFET
- Напряжение сток-исток 500 В
- Ток стока 13 А
- Рассеиваемая мощность 150 Вт
- Корпус TO247 для монтажа THT
- Технология MDmesh™ II
Максимальное напряжение сток-исток составляет 500 В. Допустимый ток стока — 13 А. Рассеиваемая мощность прибора — 150 Вт. Эти параметры определяют рабочий диапазон транзистора в электрических схемах.
Корпус и технология изготовленияПрибор выполнен в корпусе TO247. Тип монтажа — THT (through-hole technology), что предполагает установку выводов сквозь отверстия на печатной плате. Транзистор изготовлен по технологии MDmesh™ II от STMicroelectronics.
КомплектацияВ комплекте поставляется 3 транзистора STW28NM50N.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
