Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS1DNC45, 450 В, 0,25 А, SO8 (набор 10 шт.)
Код: TM037201
В наличии
2 340 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 390 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 450 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | SO8 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS1DNC45 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель рассчитана на поверхностный монтаж (SMD) в корпусе SO8 и поставляется набором из 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 450 В
- Постоянный ток стока: 0,25 А (импульсный до 1,6 А)
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 450 В и постоянный ток стока 0,25 А. Импульсный ток стока составляет 1,6 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 2 Вт, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе SO8. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж). Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 4,5 Ом.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
