Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK50Z, 500V, 2.7A, TO220-3 (набор 10 шт.)
Код: TM078837
В наличии
1 960 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 327 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK50Z — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 500 В и ток 2,7 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 2,7 А
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: набор из 10 штук
Прибор имеет максимальную рассеиваемую мощность 70 Вт и сопротивление в открытом состоянии 1,5 Ом. Напряжение между затвором и истоком составляет ±30 В, что определяет допустимые режимы управления. Используется технология SuperMesh™.
Защита и монтажВерсия ESD указывает на наличие встроенной защиты от электростатического разряда. Корпус TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
