
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 95 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 39 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06L — это полевой транзистор с каналом типа «обогащенный» и технологией STripFET™ II. Прибор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа и предназначен для работы с напряжением до 60 В и током до 39 А.
Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) составляет 60 В, а напряжение затвор-исток (Vgs) — 16 В. Максимальный ток стока (Id) равен 39 А, что определяет пропускную способность прибора в открытом состоянии. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 18 мОм, что влияет на тепловые потери при коммутации.
Мощность рассеиванияМаксимальная мощность рассеивания транзистора составляет 95 Вт. Прибор является униполярным и относится к типу N-MOSFET.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220-3. Тип монтажа — выводной. В комплекте поставки находится 20 шт. транзисторов STP55NF06L.