
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06FP — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе TO220FP. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В, ток стока 35 А и мощность рассеивания 30 Вт. В комплекте поставляется 20 единиц.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 35 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 18 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен по технологии STripFET™ II и имеет версию ESD. Корпус TO220FP. Тип монтажа — выводной.
КомплектацияВ наборе содержится 20 транзисторов STP55NF06FP.