Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06, 60 В, 35 А, TO220-3 (10 шт.)
Код: TM037171
В наличии
2 310 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 385 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 10 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 35 А
- Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 18 мОм
- Корпус: TO220-3
- Количество в комплекте: 10 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 35 А при максимальной мощности рассеивания 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 18 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор имеет вставной тип монтажа и выполнен в корпусе TO220-3. Это униполярный компонент с каналом обогащения.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
