
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.89 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором, рассчитанный на высокое напряжение и ток. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO220FP с монтажом в отверстия (THT).
Напряжение между стоком и истоком составляет 800 В. Ток стока равен 1,89 А, а рассеиваемая мощность — 25 Вт. Напряжение между затвором и истоком — ±30 В.
Корпус и конструкцияКомпонент выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT). Транзистор имеет версию ESD.
Тип и технологияТранзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. В производстве применена технология SuperMesh™. Сопротивление в открытом состоянии составляет 3,5 Ом.