Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP, 800 В, 1,89 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Код: TM078836
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 317 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA063220010000026005360045578
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP, 800 В, 1,89 А, TO220FP (набор 10 шт.) - фото 1 - id-p3231632203

Характеристики и описание

Основные

Производитель
STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания25 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток800 В
Максимально допустимый ток стока1.89 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)3500 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

ВерсияESD
Гарантийный срок12 мес
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO220FP
ТехнологияSuperMesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK80ZFP — это униполярный полевой транзистор с изолированным затвором, рассчитанный на высокое напряжение и ток. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO220FP с монтажом в отверстия (THT).

  • Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
  • Ток стока: 1,89 А
  • Рассеиваемая мощность: 25 Вт
  • Корпус: TO220FP, монтаж THT
  • Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры

Напряжение между стоком и истоком составляет 800 В. Ток стока равен 1,89 А, а рассеиваемая мощность — 25 Вт. Напряжение между затвором и истоком — ±30 В.

Корпус и конструкция

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT). Транзистор имеет версию ESD.

Тип и технология

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. В производстве применена технология SuperMesh™. Сопротивление в открытом состоянии составляет 3,5 Ом.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
CLICKgo.fun- интернет магазин
CLICKgo.fun- интернет магазин
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов