
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 16 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ M2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60M2 — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ M2 в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 5 единиц, предназначенных для монтажа на плату (THT).
Прибор имеет напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток стока 16 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 104 А, а рассеиваемая мощность составляет 190 Вт.
Тип и монтажТранзистор является униполярным с каналом обогащения. Монтаж выполняется на плату (THT).