Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600 В, 7 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM020908
В наличии
2 730 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 455 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 160 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | FDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD — полевой транзистор с технологией FDmesh™ в корпусе TO220-3.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 160 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 450 мОм
- Корпус: TO220-3, вставной монтаж
- Комплектация: 5 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимально допустимый ток стока — 7 А. Максимальная мощность рассеивания достигает 160 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 450 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор имеет вставной тип монтажа и выполнен в корпусе TO220-3. Канал транзистора является обогащенным, полярность — униполярная. Версия компонента обозначена как ESD.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
