
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ II |
Набор из 10 транзисторов STMicroelectronics STP100NF04 типа N-MOSFET с технологией STripFET™ II. Компоненты предназначены для силовых электронных схем, требующих высокой токовой нагрузки и низкого сопротивления в открытом состоянии.
Транзисторы STP100NF04 рассчитаны на максимальный ток стока 120 А и рассеивание мощности до 300 Вт. Это позволяет использовать их в мощных инверторах, источниках питания и двигателях, где требуется стабильная работа под большой нагрузкой.
Низкое сопротивление и эффективностьСопротивление в состоянии проводимости составляет 4,6 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Низкое сопротивление критично для повышения КПД устройств и снижения потребности в громоздком охлаждении.
Удобный монтаж и надежностьКомпоненты выполнены в корпусе TO220-3 с выводами для монтажа на печатную плату (THT). Такой формат обеспечивает простоту пайки и механическую прочность соединения, что важно для промышленного оборудования и DIY-проектов.
Управление и напряжение затвор-исток (Gate-Source Voltage) ±20 ВМаксимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые режимы управления транзистором в схемах. Это важно для правильного выбора драйвера затвора и обеспечения надежного открывания и закрывания MOSFET без риска повреждения изолятора затвора.
КомплектацияВ комплекте поставляется 10 транзисторов STP100NF04, что удобно для серийного производства или ремонта нескольких устройств одновременно.