Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650В, 30А, TO220AB (набор 10 шт.)
Код: TM020827
В наличии
2 900 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 483 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 258 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220AB |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 единиц.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Постоянный ток коллектора: 30 А
- Импульсный ток: до 120 А
- Рассеиваемая мощность: 258 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплект: 10 шт.
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В и постоянным током коллектора 30 А.
Импульсная мощностьПрибор выдерживает импульсный ток коллектора до 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 258 Вт.
Встроенный диод и монтажКомпонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT в корпусе TO220AB.
Управление и зарядНапряжение управления затвором составляет ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
КомплектацияВ набор входит 10 транзисторов STGP30M65DF2.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
