
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 65 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10NC60KD — полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 20 единиц. Основные параметры: максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 600 В, ток коллектора 10 А, мощность рассеивания 65 Вт.
Транзистор рассчитан на высокое напряжение: максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В. Максимально допустимый ток коллектора равен 10 А. Максимальная мощность рассеивания — 65 Вт. Согласно данным магазина, заряд затвора — 19 нКл, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором).
КомплектацияВ комплекте 20 шт. транзисторов.