
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 550 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 158 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF28NM50N — это униполярный компонент с технологией MDmesh™ II, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 3 штук в корпусе TO220FP с монтажом THT.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 550 В и постоянный ток стока 13 А. Импульсный ток стока может достигать 84 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 158 мОм, а максимальная рассеиваемая мощность — 35 Вт.
Технология и управление затворомКомпонент изготовлен по технологии MDmesh™ II от STMicroelectronics. Напряжение затвор-исток ограничено ±25 В, что определяет допустимые режимы управления. Заряд затвора составляет 50 нКл. Монтаж осуществляется методом THT (сквозной) в корпусе TO220FP.