Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60ZT4, 600 В, 2,5 А, DPAK (набор 10 шт.)
Код: TM078682
В наличии
2 030 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 338 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60ZT4 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 2,5 А
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технология: SuperMesh™, версия ESD
- Комплектация: 10 шт.
Компонент работает с напряжением сток-исток до 600 В и выдерживает ток стока 2,5 А. Рассеиваемая мощность 70 Вт определяет тепловой режим. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, а сопротивление в состоянии проводимости составляет 2 Ом.
КомплектацияТовар поставляется набором из 10 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
