Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5, 800 В, 4,5 А, D2PAK (10 шт.)
Код: TM078668
В наличии
2 370 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 395 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 85 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
| Технология | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB6N80K5 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 800 В. Комплект состоит из 10 штук в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа (SMD).
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 4,5 А
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Технология: MDmesh™
- Комплектация: 10 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 4,5 А. Рассеиваемая мощность составляет 85 Вт, а заряд затвора — 7,5 нКл. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,6 Ом.
Корпус и технологияКомпонент изготовлен по технологии MDmesh™. Корпус D2PAK (TO263) позволяет осуществлять монтаж на поверхность платы (SMD).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
