
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB55NF06T4 — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе D2PAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 35 А. В комплект входит 10 единиц.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и напряжение затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 35 А, а мощность рассеивания — 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 18 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK. Транзистор является униполярным полевым прибором с индуцированным каналом.
Технология и версияУстройство изготовлено по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD.
В упаковке содержится 10 транзисторов STB55NF06T4.