Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4, 40 В, 120 А, 300 Вт (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4 — это полевой транзистор с каналом типа enhancement (обогащенного типа) и технологией STripFET™ II. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 40 В, ток стока 120 А и рассеивает мощность до 300 Вт. В комплекте 10 шт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 В
• Максимально допустимый ток стока: 120 А
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 4,6 мОм
• Корпус: D2PAK (поверхностный монтаж)
• Технология: STripFET™ II
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 40 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 120 А, а в импульсном режиме (по данным магазина) — 480 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4,6 мОм, что обеспечивает эффективное прохождение тока. Максимальная мощность рассеивания — 300 Вт.

Прибор выполнен в корпусе D2PAK с поверхностным монтажом (SMD). Транзистор является униполярным с каналом типа enhancement. Технология STripFET™ II определяет конструктивные особенности структуры транзистора.

В наборе 10 транзисторов STB100NF04T4.