Транзистор STMicroelectronics MJD122T4, NPN Дарлингтон, 100 В, 8 А, DPAK (набор 20 шт.)
Код: TM075649
В наличии
2 180 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 363 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор STMicroelectronics MJD122T4 — это биполярный компонент типа NPN с архитектурой Дарлингтона, предназначенный для работы в электронных схемах. Набор содержит 20 единиц в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: NPN, биполярный, Дарлингтон
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: до 8 А
- Рассеиваемая мощность: 20 Вт
- Коэффициент усиления: 100...1000
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Компонент рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер до 100 В и ток коллектора до 8 А. Рассеиваемая мощность составляет 20 Вт, что определяет тепловой режим работы устройства. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне от 100 до 1000.
Корпус и монтажТранзистор выполнен в корпусе DPAK, что обеспечивает компактное размещение на печатной плате. Технология монтажа SMD позволяет автоматизировать процесс установки компонентов. Такое исполнение является стандартным для современных электронных модулей.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
