Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1, 75 А, 1200 В
Код: TM035699
В наличии
4 690 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 782 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
|---|
Пользовательские характеристики
| Корпус | V1 |
|---|---|
| Производитель | HUAJING |
| Технология | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1 — это полупроводниковый компонент с топологией полумоста. Модель имеет номинальный ток коллектора 75 А и максимальное обратное напряжение 1200 В.
- Номинальный ток коллектора 75 А
- Импульсный ток до 200 А
- Максимальное обратное напряжение 1,2 кВ
- Топология: полумост IGBT
- Монтаж: болтовой или FASTON
Модуль реализует структуру «транзистор/транзистор» в топологии полумоста IGBT. Номинальный ток коллектора составляет 75 А, а импульсный ток может достигать 200 А. Максимальное обратное напряжение (Urmax) равно 1,2 кВ, что определяет границы безопасной эксплуатации компонента.
Механический монтажЭлектрическое подключение осуществляется с помощью коннекторов FASTON или болтовых соединений (винтовой монтаж). Механическая установка выполняется методом прикручивания. Максимальное напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±30 В.
НазначениеСогласно данным производителя, модуль предназначен для использования в системах бесперебойного питания (UPS) и инверторах.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
