Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3, 150 А, 1200 В, полумост

IGBT модуль HUAJING HFGM150D12V3 — это полупроводниковый компонент в корпусе V3 62MM, предназначенный для работы в инверторах и системах бесперебойного питания (UPS). Устройство реализует топологию полумоста (half-bridge) с двумя транзисторами, обеспечивая коммутацию тока до 150 А при напряжении до 1200 В.

• Ток коллектора: 150 А
• Импульсный ток: 350 А
• Максимальное напряжение: 1,2 кВ
• Корпус: V3 62MM
• Топология: полумост IGBT
• Применение: UPS, инверторы

Модуль рассчитан на ток коллектора 150 А, что позволяет использовать его в мощных силовых схемах. Импульсный ток может достигать 350 А, что позволяет использовать его в инверторах.

Максимальное обратное напряжение (Urmax) составляет 1,2 кВ, что гарантирует стабильную работу в сетях высокой мощности. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±30 В.

Компонент имеет структуру «транзистор/транзистор» в топологии полумоста. Механическое крепление осуществляется с помощью болтов (прикручиваемый), а электрическое соединение реализовано через коннекторы FASTON и болтовые соединители.