Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD40PIY120C5S, 1200 В, 40 А
Код: TM018720
В наличии
6 500 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1083 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
|---|---|
| Тип монтажа | Вставной |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Корпус | C5 45 мм |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Полупроводниковый модуль IGBT от бренда STARPOWER SEMICONDUCTOR с маркировкой GD40PIY120C5S. Устройство сочетает в себе диод и транзистор, работает по топологии boost chopper и имеет максимальное напряжение 1200 В.
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток коллектора: 40 А
- Тип монтажа: вставной
- Корпус: C5 45 мм
- Технология: Advanced Trench FS IGBT
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
Модуль рассчитан на максимальное напряжение 1200 В и максимальный ток коллектора 40 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Технология изготовления — Advanced Trench FS IGBT.
Конструкция и монтажКорпус модуля имеет типоразмер C5 45 мм. Изделие предназначено для вставного монтажа. В структуре полупроводника реализована комбинация диода и транзистора.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
