Транзистор N-MOSFET SiC GeneSiC G3R160MT12D, 1,2 кВ, 16 А, 123 Вт, TO247-3 (набор 5 шт.)
Код: TM035659
В наличии
2 830 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 472 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 123 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимый ток стока | 16 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | G3R™, SiC |
Полевой транзистор N-MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D, изготовленный по технологии G3R™ на основе карбида кремния (SiC). Набор 5 шт.
- Тип: N-MOSFET, SiC
- Напряжение сток-исток: 1,2 кВ
- Ток стока: 16 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 160 мОм
- Мощность рассеивания: 123 Вт
- Корпус: TO247-3
Напряжение сток-исток — 1,2 кВ. Максимально допустимый ток стока — 16 А, импульсный ток стока — 40 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 160 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 123 Вт. Заряд затвора — 28 нКл. Режим канала — обогащение.
Корпус и монтажКорпус — TO247-3, тип монтажа — выводной (THT).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
