Модуль IGBT Infineon FF200R12KE3HOSA1, 1200 В, 400 А
Код: TM018598
В наличии
9 320 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1553 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Infineon Technologies |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1050 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 400 А |
Пользовательские характеристики
| Корпус | AG-62MM-1 |
|---|
IGBT модуль от бренда Infineon Technologies, модель FF200R12KE3HOSA1. Это полупроводниковый прибор в корпусе AG-62MM-1 с максимальной мощностью рассеивания 1050 Вт и током коллектора 400 А.
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Максимально допустимый ток коллектора: 400 А
- Максимальная мощность рассеивания: 1050 Вт
- Корпус: AG-62MM-1
- Топология: полумост IGBT
Модуль имеет максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и допустимый ток коллектора 400 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 1050 Вт. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено величиной ±20 В.
Конструкция и монтажПрибор имеет топологию полумоста IGBT и структуру «транзистор/транзистор». Корпус AG-62MM-1 предусматривает механическое и электрическое крепление прикручиванием.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
