Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200, SiC, 1200 В, 25 А, SOT227B
Код: TM018333
В наличии
3 220 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 537 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
|---|
Основные
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
|---|
Пользовательские характеристики
| Корпус | SOT227B |
|---|---|
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 |
| Технология | SiC |
Транзистор DACO Semiconductor DACMI40N1200 — это силовой MOSFET на основе карбида кремния (SiC) в корпусе SOT227B. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 1200 В и ток стока 25 А.
- Технология: SiC
- Корпус: SOT227B
- Максимальная рабочая температура: 150 °C
- Максимально допустимый ток стока: 25 А
- Монтаж: винтовой
Модуль работает с максимальной рабочей температурой до 150 °C. Максимально допустимый ток стока составляет 25 А. Технология SiC определяет ключевые характеристики полупроводниковой структуры.
Конструкция и монтажКорпус типа SOT227B обеспечивает стандартное крепление. Монтаж механический и электрический — винтовой. Структура полупроводника — одиночный транзистор, поляризация униполярная.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
