Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1, 650 В, 75 А, TO247-4 (2 шт.)
Код: TM035126
В наличии
2 510 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 418 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 405 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 300 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 2 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO247-4.## Комплектация
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 75 А (300 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 405 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
- Интегрированный диод SiC SBD
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 650 В и постоянным током коллектора 75 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 300 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 405 Вт.
Технология и быстродействиеПрибор изготовлен по технологиям Field Stop, Trench и имеет интегрированный диод SiC SBD. Время запирания (включения) равно 84 нс, а время отпирания (выключения) — 565 нс.
Монтаж и корпусВ упаковке находится 2 транзистора.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
