Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1, 650 В, 50 А, TO247-3 (комплект 2 шт.)
Код: TM072021
В наличии
2 100 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 350 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 357 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 200 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1 в корпусе TO247-3 со встроенным диодом Шоттки на карбиде кремния (SiC SBD). Комплект состоит из 2 штук, предназначенных для монтажа на плату (THT).
- Ток коллектора 50 А, импульсный до 200 А
- Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Рассеиваемая мощность 357 Вт
- Встроенный диод SiC SBD
- Корпус TO247-3, монтаж THT
- Комплект из 2 транзисторов
Транзистор рассчитан на постоянный ток коллектора 50 А и импульсный ток до 200 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 357 Вт.
Напряжение и технологияМаксимальное напряжение коллектор-эмиттер равно 650 В, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Используется технология Field Stop и Trench. Встроенный антипараллельный диод на SiC SBD.
БыстродействиеВремя включения транзистора составляет 54 нс, а время выключения — 256 нс. Заряд затвора равен 308 нКл.
КомплектацияВ комплекте поставляются 2 транзистора в корпусе TO247-3 с выводами для навесного монтажа (THT).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
