
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 65 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
|---|
| Количество в комплекте | 200 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Транзистор PNP ON Semiconductor BC856ALT1G — это биполярный компонент в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Комплект содержит 200 единиц.
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 65 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 125–250.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB). Монтаж: SMD. Максимальная рабочая частота составляет 100 МГц.