
| Максимальная мощность рассеивания | 62 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимый прямой импульсный ток | 85 А |
| Максимальное постоянное обратное напряжение | 650 В |
| Максимальное прямое напряжение | 1.7 В |
| Максимальный обратный ток | 20 мкА |
| Максимальный прямой ток | 10 А |
| Состояние | Новое |
| Тип диода | Диод Шоттки |
| Тип монтажа | Вставной |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-2 |
| Производитель | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технология | SiC |
Диод Шоттки BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1 — это полупроводниковый компонент с технологией SiC в корпусе TO220-2 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 10 единиц.
Диод имеет максимальное постоянное обратное напряжение 650 В и максимальный прямой ток 10 А. Максимально допустимый прямой импульсный ток составляет 85 А.
Мощность и токи утечкиМаксимальное прямое напряжение диода равно 1,7 В. Максимальная мощность рассеивания составляет 62 Вт. Ток утечки зафиксирован на уровне 20 мкА.
Конструкция и технологияКомпонент изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Корпус TO220-2 с выводами для монтажа на плату (THT). Структура полупроводника — одиночный диод.