Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10B60D, 600 В, 10 А, TO220, набор 20 шт.

Код: TM017893
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 520 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA063220010000026005360045578
Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10B60D, 600 В, 10 А, TO220, набор 20 шт. - фото 1 - id-p3231578355

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания82 Вт
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер600 В
Максимально допустимый ток коллектора40 А
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Пользовательские характеристики

Количество в комплекте20 шт.
КорпусTO220
ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10B60D — это полупроводниковый прибор для силовых электронных схем. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе TO220, что обеспечивает удобство для серийного производства или ремонта оборудования.

  • Набор из 20 транзисторов IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
  • Ток коллектора 10 А
  • Рассеиваемая мощность 82 Вт
  • Корпус TO220 с монтажом THT
  • Время включения 25 нс
Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на рабочее напряжение коллектор-эмиттер 600 В и постоянный ток коллектора 10 А. Это позволяет использовать компонент в сетевых инверторах и источниках питания, где требуется надежная коммутация высокой мощности.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 82 Вт. Корпус TO220 с монтажом THT (через отверстия) обеспечивает стабильный контакт с печатной платой и возможность крепления радиатора для отвода тепла во время длительной работы.

Быстрая коммутация

Время включения транзистора составляет 25 нс, а время выключения — 80,8 нс. Такие характеристики минимизируют потери энергии при переключении, что важно для импульсных регуляторов и систем с высокочастотным управлением.

Управление затвором и насыщение

Допустимое напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В, что соответствует стандартным драйверам управления. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер равно 1,53 В, а заряд затвора — 17,4 нКл. Эти параметры определяют требования к схеме управления и потери в открытом состоянии.

Транзистор IGBT AOT10B60D подходит для инженеров и техников, которым нужны надежные компоненты для силовых схем. Набор из 20 штук оптимизирует закупку для небольших партий оборудования или учебных проектов.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
CLICKgo.fun- интернет магазин
CLICKgo.fun- интернет магазин
94% положительных отзывов

Похожее у других продавцов