Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6552, N-MOSFET, 30 В, 23 А, DFN5x6 (60 шт.)
Код: TM071112
В наличии
1 990 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 332 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 10 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 23 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 60 шт. |
|---|---|
| Корпус | DFN5x6 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6552 — это полевой N-MOSFET в корпусе DFN5x6. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 23 А.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 23 А
- Мощность рассеивания: 10 Вт
- Корпус: DFN5x6, поверхностный монтаж
- Сопротивление в открытом состоянии: 5 мОм
- Количество в комплекте: 60 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 23 А, что определяет пропускную способность канала. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 5 мОм, что характеризует потери при прохождении тока.
Мощность и монтажМаксимальная мощность рассеивания транзистора — 10 Вт. Тип монтажа — поверхностный (SMD), что соответствует форм-фактору корпуса DFN5x6. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной. Заряд затвора составляет 15,5 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
