Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6407, P-MOSFET, -30V, -67A, DFN5x6 (30 шт.)

Код: TM017887
В наличии

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 423 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA063220010000026005360045578
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6407, P-MOSFET, -30V, -67A, DFN5x6 (30 шт.) - фото 1 - id-p3231577021

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания33 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток25 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)4.5 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой

Пользовательские характеристики

Количество в комплекте30 шт.
КорпусDFN5x6
ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6407 — это униполярный P-MOSFET в корпусе DFN5x6, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 штук, что удобно для серийного производства или ремонтных работ.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
  • Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
  • Максимальный ток стока: -67 А
  • Рассеиваемая мощность: 33 Вт
  • Корпус: DFN5x6, монтаж SMD
  • Сопротивление в открытом состоянии: 4,5 мОм
  • Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -30 В и выдерживает ток стока до -67 А. Рассеиваемая мощность составляет 33 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах со средней нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,5 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы.

Тип канала и управление

Компонент имеет обогащенный канал (enhancement mode), что является стандартом для MOSFET-транзисторов этого класса. Напряжение затвор-исток может достигать ±25 В, что определяет требования к драйверу управления. Общий заряд затвора составляет 75 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к мощности управляющего сигнала.

Монтаж и корпус

Транзистор выполнен в корпусе DFN5x6, который является компактным и подходит для автоматизированного монтажа по технологии SMD. Такое исполнение позволяет экономить место на печатной плате и обеспечивает надежный контакт с поверхностью. Комплект из 30 штук удобен для автоматизированного монтажа или распределения между несколькими проектами.## Применение в силовых схемах P-MOSFET с напряжением сток-исток -30 В и током стока -67 А подходит для управления нагрузками в схемах с питанием от аккумуляторов или низковольтных источников. Типовой канал (enhancement mode) обеспечивает стабильную работу транзистора в открытом состоянии при подаче управляющего сигнала.## Эффективность и тепловой режим Низкое сопротивление в открытом состоянии 4,5 мОм снижает тепловые потери при протекании тока, что важно для компактных устройств. Рассеиваемая мощность 33 Вт определяет максимальную нагрузку, которую может выдержать компонент без дополнительного охлаждения. Заряд затвора 75 нКл влияет на скорость переключения и требования к мощности драйвера управления.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
CLICKgo.fun- интернет магазин
CLICKgo.fun- интернет магазин
94% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор MOSFET FDS8928A
999 ₴
1 395 ₴