Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5B65N1, 650 В, 5 А, TO252 (набор 30 шт.)
Код: TM071095
В наличии
2 100 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 350 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 21 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 15 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 30 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO252 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5B65N1 — это полупроводниковый прибор в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 5 А (постоянный), 15 А (импульсный)
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Мощность рассеивания: 21 Вт
- Количество в комплекте: 30 шт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 5 А. В импульсном режиме прибор выдерживает ток до 15 А. Мощность рассеивания составляет 21 Вт.
Быстродействие и энергопотреблениеВремя включения транзистора равно 23 нс, а время выключения — 114 нс. Энергия включения составляет 0,081 мДж, а энергия выключения — 0,049 мДж.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO252, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Номинальное напряжение на затворе составляет ±30 В, а напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 2,5 В. Общий заряд затвора равен 9,2 нКл. Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет 2,5 В.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
