Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB11S65L, 650 В, 8 А, 198 Вт, TO263 (набор 10 шт.)
Код: TM071077
В наличии
1 880 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 313 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 198 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1110 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO263 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB11S65L — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO263 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 8 А
- Мощность рассеивания: 198 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и ток стока 8 А. Мощность рассеивания составляет 198 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 1,11 Ом, а заряд затвора — 13,2 нКл.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO263. Монтаж осуществляется по технологии SMD (поверхностный монтаж). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
