
| Максимальная мощность рассеивания | 0.73 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
|---|---|
| Корпус | TSOP6 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзисторы AO6601 представляют собой комплементарную пару N/P-MOSFET с обогащенным каналом. Комплементарная пара означает наличие в комплекте транзисторов с N- и P-каналами. Полярность транзисторов — униполярная.
Электрические параметрыМаксимальное напряжение между истоком и стоком составляет 30 В для N-канала и -30 В для P-канала. Ток стока равен 2,7 А (N) и -1,8 А (P). Сопротивление в открытом состоянии — 60 мОм для N-канала и 115 мОм для P-канала. Напряжение затвор-исток — ±12 В.
Монтаж и корпусКомпоненты выполнены в корпусе TSOP6 для поверхностного монтажа (SMD). Рассеиваемая мощность составляет 0,73 Вт. Заряд затвора — 4,7 нКл для N-канала и 2,8 нКл для P-канала.
Заряд затвора и рассеиваемая мощностьУпаковка содержит 40 транзисторов AO6601.