
| Максимальная мощность рассеивания | 1.28 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
|---|---|
| Корпус | SO8 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Комплект из 30 комплементарных пар N/P-MOSFET транзисторов ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4611 в корпусе SO8. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 60 В.
Транзисторы AO4611 представляют собой комплементарную пару N/P-MOSFET, что позволяет реализовывать push-pull схемы в одном корпусе. Это упрощает трассировку платы и уменьшает количество компонентов в устройстве. Монтаж выполняется по технологии SMD в корпусе SO8, что обеспечивает компактность узлов.
Электрические параметры и мощностьМаксимальное напряжение сток-исток составляет 60 В для N-канала и -60 В для P-канала. Ток стока достигает 5 А (N) и -3,9 А (P). Сопротивление в состоянии проводимости равно 25 мОм (N) и 42 мОм (P). Рассеиваемая мощность составляет 1,28 Вт.
Управление и зарядыНапряжение управления затвором (Gate-Source) допускается в диапазоне ±20 В. Заряд затвора (Gate Charge) составляет 24,2 нКл для N-канала и 22,8 нКл для P-канала. Каналы являются обогащаемыми (enhancement mode).
Транзисторы AO4611 в комплекте 30 шт. подходят для прототипирования и мелких серий.