Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E, PNP, 50 В, 7 А, SOT89, набор 20 шт.
Код: TM070479
В наличии
2 040 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 340 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 7 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
Дополнительные характеристики
| Граничная частота передачи | 290 МГц |
|---|
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT89 |
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT89. Комплект состоит из 20 единиц, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 7 А
- Мощность рассеивания: 1,3 Вт
- Корпус: SOT89, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 7 А. Мощность рассеивания составляет 1,3 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 200...560.
Корпус и монтажПрибор выполнен в компактном корпусе SOT89, что обеспечивает удобство автоматизированного поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рабочая частота транзистора составляет 290 МГц.
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E подходит для инженеров и радиолюбителей, которые нуждаются в надежных компонентах для сборки электронных схем с заданными параметрами тока и напряжения.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
