Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

Диод TVS Littelfuse 1KSMB6.8A, 1 кВт, 6,8 В, корпус DO214AA (1KSMB6.8A-LF) набор 60 шт.

Код: TM070138
Недоступен
1 870 ₴
Диод TVS Littelfuse 1KSMB6.8A, 1 кВт, 6,8 В, корпус DO214AA (1KSMB6.8A-LF) набор 60 шт. - фото 1 - id-p3231563792

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Littelfuse
Максимально допустимый прямой импульсный ток95.2 А
Максимальное постоянное обратное напряжение5.8 В
Максимальный обратный ток900 мкА
Напряжение пробоя6.8 В

Дополнительные характеристики

Тип монтажаПоверхностный

Пользовательские характеристики

Допуск±5%
Количество в комплекте60 шт.
КорпусDO214AA
Тип диодаTVS

Диод TVS Littelfuse 1KSMB6.8A — это односторонний защитный компонент в корпусе DO214AA, предназначенный для ограничения импульсных перенапряжений. Он имеет максимальное постоянное обратное напряжение 5,8 В и напряжение пробоя 6,8 В, что позволяет эффективно защищать чувствительные электронные цепи от кратковременных всплесков напряжения.

  • Импульсная мощность рассеивания 1 кВт
  • Напряжение пробоя 6,8 В
  • Максимально допустимый прямой импульсный ток 95,2 А
  • Корпус DO214AA для SMD-монтажа
  • Допуск параметров ±5%
  • Набор из 60 шт.
Защита от импульсных перенапряжений

Диод рассчитан на рассеивание импульсной мощности до 1 кВт, что обеспечивает быстрое реагирование на внезапные всплески напряжения. Максимально допустимый прямой импульсный ток составляет 95,2 А, что гарантирует надежное отведение энергии во время аварийных ситуаций. Эта характеристика важна для стабилизации работы устройств в сетях с нестабильным напряжением.

Точность параметров и монтаж

Компонент имеет допуск ±5%, что обеспечивает стабильность защитных характеристик от партии к партии. Корпус DO214AA предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию производства печатных плат. Ток утечки составляет 0,9 мА, что минимизирует потери энергии в нормальном режиме работы.

Структура и технология изготовления

Диод имеет одностороннюю структуру, что обеспечивает защиту от перенапряжения только в одном направлении. Полупроводниковый элемент изготовлен по технологии glass passivated, что повышает стабильность характеристик и надежность компонента. Такая конструкция подходит для схем, где требуется точный контроль полярности защиты.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов