Prom – найбільший маркетплейс України

MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0,125R TO247

Код: 372275756
Под заказ. Отправка с 18.10.2026

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 78 ₴/мес.
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0,125R TO247 - фото 1 - id-p3215499217

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Infineon

Пользовательские характеристики

EAN/GTIN9900002573070
Id18.00 А
Ptot101 W
RDS (вкл.)125 мОм
RoHSсоответствовать
UDS650 V
Vgs(th)3.0..4.5 В
Базовый номер продуктаIPW65R125C7XKSA1
Вес0,006 кг
ДизайнОдинокий
Идентификатор производителяIPW65R125C7XKSA1
КвалификацияСтандарт
Код ТН ВЭД85412900
МатериалSi
МoдельСиловой МОП-транзистор
ОсобенностьВН 600В
РежимУлучшение
Способ крепленияTHT
Температурный диапазон-55..+150
ТехнологияN-канальный
ТипМОП-ТРАНЗИСТОР
Угс±20 В
Форма монтажаТО-247

650V CoolMOS™ C7 Power MOSFET

особливості
- Підвищена надійність MOSFET dv/dt
- Краща ефективність завдяки найкращим у своєму класі FOM RDS(on)*Eoss та RDS(on)*Qg
- Найкращий у класі RDS(увімкнено)/пакет
- Простота використання/керування
- Безсвинцеве покриття, безгалогенна формувальна суміш
- Кваліфіковано для промислового застосування відповідно до JEDEC (J-STD20 і JESD22)

переваги
- Підвищення ефективності системи
- Забезпечення більш високих частот / підвищеної щільності потужності
- Економія вартості / розміру системи завдяки зменшенню потреб в охолодженні
- Вища надійність системи завдяки нижчим робочим температурам

програми

  • Каскади ШІМ і каскади ШІМ з жорстким перемиканням, наприклад, для обчислювальної техніки, серверів,
  • Телекомунікації, ДБЖ та сонячна енергетика.
Генерал
Технологія N-канал
Форма кріплення ТО-247
Дизайн Неодружений
Базовий номер продукту IPW65R125C7XKSA1
Тип МОП-ТРАНЗИСТОР
Модель Силовий МОП-транзистор
Режим Покращення
Кваліфікація Стандартний
Електричні показники
УДС 650 В
Ідентифікатор 18.00 ранку
Загальна кількість 101 Вт
RDS (увімкнено) 125 мОм
Ugs ±20 В
Vgs(th) 3,0..4,5 В
Інше
Температурний діапазон -55..+150
Реалізація
Стиль монтажу ТТТ.
Матеріал Сі
Спеціальні пропозиції
Особливість HV 600V
Технічні характеристики виробника
Виробник INFINEON

 

MOSFET N-Ch 650V 18A 101W 0,125R TO247

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
RoboTrade
85% положительных отзывов