
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Тип транзистора | Биполярный |
| Тип биполярного транзистора | N-P-N |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-база | 300 В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 300 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Состояние | Новое |
|---|
Производство - ON semiconductor
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO126