Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор E150N5P5GH1

Код: KLY-3G9C
В наличии
442.75 ₴
553.44 ₴скидка еще 20 дней
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Продавец KLY-SHOP
92%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 89 ₴/мес.
    Подробнее
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA683220010000026004370108246
Транзистор E150N5P5GH1 - фото 1 - id-p3209973809

Характеристики и описание

Производитель
Noname
150V 205A 5.8mΩ@10V,80A 3.3W 3.5V@250uA 1 N-ch

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
KLY-SHOP
KLY-SHOP
92% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

BR80N08A N-канальный MOSFET: 80 В, 100 А, 165 Вт, корпус TO-220
BR80N08A N-канальный MOSFET: 80 В, 100 А, 165 Вт, корпус TO-220
150 ₴
IRLML0100TR(UMW) MOSFET 100V 1.6A SOT-23
IRLML0100TR(UMW) MOSFET 100V 1.6A SOT-23
6.30 ₴
Транзистор FDS4559
Транзистор FDS4559
117.02 ₴
146.28 ₴
BUV48A Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 125 Вт, 15 А, 8 hFE
BUV48A Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 125 Вт, 15 А, 8 hFE
590 ₴
FQP9N90C МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 900 В, 1.12 Ом, 10 В, 5 В
FQP9N90C МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 900 В, 1.12 Ом, 10 В, 5 В
551.30 ₴
RD16HHF1-101 RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V
RD16HHF1-101 RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V
1 386.30 ₴
IRGP4660DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 100 А: Iк@100°C: 60 А: Uкэ.нас: 1.6 В: tнар: 40 нс: tспада:
IRGP4660DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 100 А: Iк@100°C: 60 А: Uкэ.нас: 1.6 В: tнар: 40 нс: tспада:
597.50 ₴
Транзистор BC327-40 (уп. 10 шт.)
Транзистор BC327-40 (уп. 10 шт.)
73.89 ₴
92.36 ₴
CRTM030N04L N-Channel 40V 80A 61W Surface Mount DFN-8-EP(5x6)
CRTM030N04L N-Channel 40V 80A 61W Surface Mount DFN-8-EP(5x6)
35 ₴
IRFL110TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 12 А: Rси(вкл): 0.54 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFL110TRPBF MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 12 А: Rси(вкл): 0.54 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
52.50 ₴
STP42N65M5 MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 33 А: Rси(вкл): 79 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
STP42N65M5 MOSFET силовой транзистор - TO-220-3: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 33 А: Rси(вкл): 79 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
1 420 ₴
IHW25N120E1XKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ
IHW25N120E1XKSA1 IGBT транзистор, 50 А, 1.5 В, 231 Вт, 1.2 кВ
910 ₴
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - рассеиваемая мощность: 268 Вт
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - рассеиваемая мощность: 268 Вт
905 ₴
AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs
AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs
42.50 ₴