Prom – найбільший маркетплейс України

2N0601027L

Код: 2N0601027L-3495
Под заказ. Отправка с 30.09.2026
5 381 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Продавец Drive Tesla Parts
100%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Оплатить частями
    Без переплат*, от 897 ₴/мес.
    Подробнее
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Самовывоз, Такси по Киеву
2N0601027L - фото 1 - id-p3207945384

Характеристики и описание

Дополнительные характеристики

СостояниеБ/У

Пользовательские характеристики

Артикул разновидности2N0601027L
Код запчасти2N0601027L
Кросс-номера2N0601027L
ПроизводительOE_VAG
Совместимость с маркойOE_VAG
Тип запчастиОригинал

Парт-номер Tesla: 2N0601027L

Название: 2N0601027L

Наличие: Ожидается

Состояние: Б/У оригинал

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: 27.09
Drive Tesla Parts
Drive Tesla Parts
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IPA60R950C6XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 600 В, 0.86 Ом, 10 В, 3 В
IPA60R950C6XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 600 В, 0.86 Ом, 10 В, 3 В
77.50 ₴
STN2NF10 MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp
STN2NF10 MOSFET N-Ch 100 Volt 2 Amp
78.80 ₴
TIP32C Биполярный транзистор - TO-220-3: Тип: PNP: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 3 А: Pрасс: 40 Вт
TIP32C Биполярный транзистор - TO-220-3: Тип: PNP: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 3 А: Pрасс: 40 Вт
46.30 ₴
AOD480 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 18А: 21Вт
AOD480 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 18А: 21Вт
30 ₴
NCE10TD60BK IGBT + Diode, N, 83 W, 600 V, 20 A @25℃, 15 nS, 40 pF, 44 nC.
NCE10TD60BK IGBT + Diode, N, 83 W, 600 V, 20 A @25℃, 15 nS, 40 pF, 44 nC.
61.30 ₴
HYG009N04LS1C2 40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
HYG009N04LS1C2 40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
93.80 ₴
MMBFU310LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
MMBFU310LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 25 В, 24 мА, 60 мА, 6 В
37.50 ₴
YGP20N65T2 Транзистор IGBT, 125W, 40A, 650V
YGP20N65T2 Транзистор IGBT, 125W, 40A, 650V
93.80 ₴
IRFU5305PBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 28 А: Rси(вкл): 65 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFU5305PBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 28 А: Rси(вкл): 65 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
92.50 ₴
ULN2003AFWG Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА
ULN2003AFWG Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА
37.50 ₴
TBD62083AFNG IC: driver, транзисторная матрица, SSOP18, 0,4А, 50В, Ch: 8
TBD62083AFNG IC: driver, транзисторная матрица, SSOP18, 0,4А, 50В, Ch: 8
110 ₴
AOD1N60 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 600В: 0,8А: 45Вт
AOD1N60 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 600В: 0,8А: 45Вт
33.80 ₴
FQPF8N60C MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 7.5 А, 1200 мОм
FQPF8N60C MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 7.5 А, 1200 мОм
71.30 ₴
SI2307CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -30 В, 0.073 Ом, -10 В, -1 В
SI2307CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -30 В, 0.073 Ом, -10 В, -1 В
33.80 ₴