Prom – найбільший маркетплейс України

VNN1NV04PTR-E МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ

Код: 00-00062183
В наличии
96.30 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 500 ₴
Продавец LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
VNN1NV04PTR-E МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ - фото 1 - id-p3206664583

Характеристики и описание

Основные

Производитель
ST

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Пользовательские характеристики

Артикул00-00062183
Выходной ток, А1.7
Количество выходов1
Макс. рабочая температура, С150
Мин. рабочая температура, С-40
МонтажSMD
Напряжение питания - макс. Вольт36 V
Напряжение питания - мин. Вольт5.5 V
Тип корпусаSOT-223
VNN1NV04PTR-E DC интеллектуальный ключ
МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

YGW40N120F2 40A 1.2kV TO-247 IGBTs
YGW40N120F2 40A 1.2kV TO-247 IGBTs
847.50 ₴
MJ15004G Транзистор PNP 140В 20А 250Вт
MJ15004G Транзистор PNP 140В 20А 250Вт
1 352.50 ₴
Транзистор CI40N65SM(TOKMAS)
Транзистор CI40N65SM(TOKMAS)
742.74 ₴
928.42 ₴
Транзистор 2SC5200-O
Транзистор 2SC5200-O
291.48 ₴
364.35 ₴
IKW08T120FKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
IKW08T120FKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
591.30 ₴
IPW60R099CP MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
IPW60R099CP MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
982.50 ₴
Транзистор 2N2222 (уп. 10 шт.)
Транзистор 2N2222 (уп. 10 шт.)
73.41 ₴
91.76 ₴
PDTC123ET.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: h21: 30: Пара:
PDTC123ET.215 Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 50 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 250 мВт: h21: 30: Пара:
20 ₴
IPW60R125P6XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 30 А, 0.113 Ом
IPW60R125P6XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 30 А, 0.113 Ом
1 405 ₴
STP140N8F7 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 90 А, 0.0035 Ом
STP140N8F7 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 90 А, 0.0035 Ом
501.30 ₴
IRLR7843TR(UMW) N-канальный MOSFET, 30 В, 161 А, 140 Вт, поверхностный монтаж (SMD), корпус TO-25.
IRLR7843TR(UMW) N-канальный MOSFET, 30 В, 161 А, 140 Вт, поверхностный монтаж (SMD), корпус TO-25.
37.50 ₴
SI9945BDY-T1-GE3 Транзистор: МОП n-канал.x2: полевой: 60 В: 5,3 А: 3,1 Вт: SO8
SI9945BDY-T1-GE3 Транзистор: МОП n-канал.x2: полевой: 60 В: 5,3 А: 3,1 Вт: SO8
118.80 ₴
HGTG30N60B3D IGBT транзистор, 60 А, 1.9 В, 208 Вт, 600 В
HGTG30N60B3D IGBT транзистор, 60 А, 1.9 В, 208 Вт, 600 В
1 458.80 ₴
SPP17N80C3XKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 800 В, 17 А, 290 мОм
SPP17N80C3XKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 800 В, 17 А, 290 мОм
321.30 ₴