NCE100TD120VTP Транзистор IGBT TO-247P 1200V 100A
Код: 00-00077645
В наличии
1 251.30 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 209 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Укрпочта
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Выходная емкость | 425 пФ |
|---|---|
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Артикул | 00-00077645 |
|---|---|
| Время нарастания | 17 нс |
| Корпус | TO-247P |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 937 Вт |
| Максимальная _x000D_ температура соединения | 175 ℃ |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | 30 В |
| Максимальное _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение GE | 6 В |
| Максимальный ток _x000D_ коллектора | 200 А при 25 ℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1,7 В при 25℃ |
| Общий заряд затвора | 743 нКл |
| Тип | IGBT + _x000D_ антипараллельный диод |
| Тип канала IGBT | N |
NCE100TD120VTP Транзистор IGBT
Транзистор IGBT TO-247P 1200V 100A
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
LeChat Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
96% положительных отзывов
![IRFI840GPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 18 А: Rси(вкл): 0.85 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7733388652_w200_h200_irfi840gpbf-mosfet-silovoj.jpg)
![SPP11N80C3XKSA1 MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.45 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7733384324_w200_h200_spp11n80c3xksa1-mosfet-silovoj.jpg)
![STW77N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 69 А: Rси(вкл): 38 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7733454370_w200_h200_stw77n65m5-mosfet-silovoj.jpg)
