Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор AO3400A (A09T) MOSFETN Channel 30V 5.7A SOT23

Код: 3786
Готово к отправке
10+ купили
5 ₴
Карточка Rozetka
+1%
бонусов с картой Rozetka
Продавец Мальва
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта (Бесплатно при условии)

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA383052990000026006021610625
Транзистор AO3400A (A09T) MOSFETN Channel 30V 5.7A SOT23 - фото 1 - id-p3205186421

Характеристики и описание

Страна производительКитай
Тип транзистораПолевой
Канал транзистораN-канал
AO3400 – це компактний N-канальний MOSFET транзистор із напругою до 30 В, струмом 5.8 А . Ідеально підходить для комутаційних схем, PWM-додатків та джерел живлення.

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Мальва
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IGW50N60H3 БТИЗ транзистор, 50 А, 2.3 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
IGW50N60H3 БТИЗ транзистор, 50 А, 2.3 В, 333 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
683.80 ₴
HYG090ND06LS1C2 60V 56A 60W 12.2mΩ@4.5V,20A 1.9V 2 N-Channel PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
HYG090ND06LS1C2 60V 56A 60W 12.2mΩ@4.5V,20A 1.9V 2 N-Channel PDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
53.80 ₴
IRGP4066D-EPBF IGBT транзистор - TO-247AD: Uкэ.макс: 600 В: Iк при 25°C: 140 А: Iк при 100°C: 90 А: Uкэ.нас: 1.7 В
IRGP4066D-EPBF IGBT транзистор - TO-247AD: Uкэ.макс: 600 В: Iк при 25°C: 140 А: Iк при 100°C: 90 А: Uкэ.нас: 1.7 В
1 901.30 ₴
Транзистор AO3415A (уп. 5 шт.)
Транзистор AO3415A (уп. 5 шт.)
87.94 ₴
109.92 ₴
STB24N60DM2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 18 А, 0.175 Ом
STB24N60DM2 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 18 А, 0.175 Ом
452.50 ₴
IXXH80N65B4H1 Транзистор: IGBT: GenX4™: 650В: 80А: 625Вт: TO247-3
IXXH80N65B4H1 Транзистор: IGBT: GenX4™: 650В: 80А: 625Вт: TO247-3
1 468.80 ₴
C2M0160120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 17,7А, 125Вт
C2M0160120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 17,7А, 125Вт
1 447.50 ₴
GT30J65MRB,S1E IGBT 650 V 60 A 200 W
GT30J65MRB,S1E IGBT 650 V 60 A 200 W
656.30 ₴
IKP20N65H5XKSA1 IGBT , 42 А, 1,65 В, 125 Вт, 650 В, TO-220, 3 контакта
IKP20N65H5XKSA1 IGBT , 42 А, 1,65 В, 125 Вт, 650 В, TO-220, 3 контакта
891.30 ₴
Транзистор 3dd13003 (20-25 A2)
Транзистор 3dd13003 (20-25 A2)
75.15 ₴
93.94 ₴
IRSM836-044MATR IGBT силовой модуль - [36 lead PQFN 12x12]: Напряжение: 250 В: Ток: 4 А: Ключей: 6
IRSM836-044MATR IGBT силовой модуль - [36 lead PQFN 12x12]: Напряжение: 250 В: Ток: 4 А: Ключей: 6
1 268.80 ₴
CRJQ30N60G2F 600V 83A 28mΩ TO-247-3L MOSFETs
CRJQ30N60G2F 600V 83A 28mΩ TO-247-3L MOSFETs
662.50 ₴
MJL3281AG Биполярный транзистор, аудио, NPN, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 175 hFE
MJL3281AG Биполярный транзистор, аудио, NPN, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 175 hFE
665 ₴
Транзистор BS170FTA (уп. 10 шт.)
Транзистор BS170FTA (уп. 10 шт.)
117 ₴
146.25 ₴